逃逸氨分析的重要性

??火電廠及供暖廠的燃煤鍋爐SCR/SNCR脫銷工藝中需要對NH3逃逸量進行實時的在線監(jiān)測，監(jiān)測結(jié)果可以指導優(yōu)化還原劑氨的注入量，以達到提高脫銷效率的目的。同時有效地控制NH3逃逸量減少銨鹽的生成，避免對下游設(shè)備的腐蝕和危害，延長催化劑壽命，節(jié)約運營成本。

??SCR/SNCR脫銷工藝多采用高溫氨法還原原理，由此決定了逃逸NH3的高溫高粉塵的測量環(huán)境。紫外吸收光譜技術(shù)的非接觸測量以及帶光譜等特性，使之成為了逃逸NH3測量的較佳方法。傳統(tǒng)的逃逸NH3分析儀采用原位（In-suit）測量的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)安裝維護復雜，實際應(yīng)用中受煙道尺寸的煙氣條件的限制影響很大，測試結(jié)果無法滿足脫銷工藝中對逃逸NH3監(jiān)測的精度及可靠性要求。

??AG-NH07型激光逃逸氨大連在線監(jiān)測系統(tǒng)采用了高溫伴熱抽取技術(shù)，有效解決了逃逸NH3的取樣損失問題，具有靈敏度高、相應(yīng)速度快、不受背景氣體干擾、非接觸式光學測量等特點，可實時準確地反映逃逸氨的變化。

TDLAS技術(shù)特點

??可調(diào)諧半導體激光吸收光譜技術(shù)（TDLAS）本質(zhì)上是一種光譜吸收分析技術(shù)，利用了氣體分子對特定波長激光的選擇性吸收特性來獲得氣體的濃度。它與傳統(tǒng)光譜吸收技術(shù)的不同之處在于半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，半導體激光吸收光譜技術(shù)是一種高分辨率的光譜吸收技術(shù)。

儀器特點

采用熱濕取樣方法，不受現(xiàn)場安裝條件的限制，適用性廣，使用和維護簡單；

采用TDLAS的高分辨率光譜技術(shù)，測量時不受其它氣體干擾，可有效降低粉塵和背景和氣體的干擾，這一特性與其它分析方法相比有明顯的優(yōu)勢；

采用二次諧波原理，在相同光程條件下，分辨率高，可實現(xiàn)超低濃度的NH3測量；

采用多線掃描技術(shù)，有效鎖定吸收峰位置，減少背景干擾，提高了測試信噪比以及測試靈敏度。

直接安裝在煙道，內(nèi)置如下條件

煙氣采樣、過濾系統(tǒng)（高溫采樣和超精細過濾技術(shù)）；

過濾器反吹系統(tǒng)（分析儀設(shè)定反吹頻率）；

多次反射光學檢測池（≥10m光程，檢測靈敏度≥0.2ppm）；

溫控系統(tǒng)（氣體接觸部分200度以上伴熱，防止ABS形成）。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用范圍

??適用于燃煤發(fā)電廠、鋁廠、鋼鐵廠、冶煉廠、玻璃廠、垃圾發(fā)電廠、水泥廠、化工廠等SCR或SNCR脫銷裝置的氨氣逃逸排放監(jiān)測和過程監(jiān)測。